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Netsol代理1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM

2023-03-15 10:51:07

    NETSOL自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。數(shù)據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的耐久性特性,它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
 
    Parallel STT-MRAM的容量范圍從1Mbit到16Mbit。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數(shù)據字節(jié)控制(LB、UB)進行低位和高位字節(jié)訪問。
 
    它支持異步頁面模式功能,以提高讀寫性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字。該設備提供工業(yè)(-40℃至85℃)工作溫度范圍。官方代理英尚微支持提供樣品測試。
 
    核心特征
    容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb
    電源供應:1.8V(1.7V~1.95V)或3.3V(2.7V~3.6V)
    Parallel異步接口x16/x8I/O
    數(shù)據保存期:10年
    讀取耐力:無限
    擦寫耐力:1014
    無需外部ECC
    封裝:48FBGA、44TSOP2、54TSOP2


半導體Netsol代理1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM選型表:http://www.hythzno.cn/list-831-1.html
Density Part Number Organization VDD(V) Access Time(ns) Temperature Package
1Mbit S3R1016V1M 64Kx16 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
1Mbit S3R1008V1M 128Kx8 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
1Mbit S3R1016R1M 64Kx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
1Mbit S3R1008R1M 128Kx8 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
2Mbit S3R2016V1M 128Kx16 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
2Mbit S3R2008V1M 256Kx8 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
2Mbit S3R2016R1M 128Kx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
2Mbit S3R2008R1M 256Kx8 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
4Mbit S3R4016V1M 256Kx16 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
4Mbit S3R4008V1M 256Kx16 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
4Mbit S3R4016R1M 256Kx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
4Mbit S3R4008R1M 256Kx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
8Mbit S3R8016V1M 512Kx16 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 48FBGA, 54TSOP2
8Mbit S3R8008V1M 512Kx8 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
8Mbit S3R8016R1M 256Kx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 48FBGA, 54TSOP2
8Mbit S3R8008R1M 256Kx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
16Mbit S3R1616V1M 1Mx16 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 48FBGA, 54TSOP2
16Mbit S3R1608V1M 2Mx8 2.70~3.60 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA
16Mbit S3R1616V1M 1Mx16 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 48FBGA, 54TSOP2
16Mbit S3R1608R1M 2Mx8 1.71~1.98 70ns -40℃ to 85℃ 44TSOP2, 48FBGA

本文關鍵詞:STT-MRAM,MRAM,Netsol代理

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