SRAM靜態隨機存儲器芯片的讀寫周期
2020-02-03 11:32:13
一、
要保證正確地讀/寫，必須注意CPU時序與存儲器讀/寫周期的配合。一般
SRAM存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫周期的時序圖。
Intel 2114芯片的讀、寫周期時序如圖所示。
二、 讀周期
讀操作時，必須保證片選信號為低電平，讀寫信號為高電平。
tRC （讀周期時間）：指對芯片連續兩次讀操作之間的最小間隔時間。
tA (讀出時間)：從給出有效地址后，經過譯碼電路、驅動電路的延遲，到讀出所選單元內容，并經I/O電路延遲，直到數據在外部數據總線上穩定出現所需的時間。顯然，讀出時間小于讀周期時間。
tCO (片選到數據輸出穩定的時間)：數據能否送到外部數據總線上，不僅取決于地址，還取決于片選信號。因此，tCO是從有效到數據穩定出現在外部數據總線上的時間。
tCX（片選到數據輸出有效時間）：從片選有效到數據開始出現在數據總線上的間隔時間。
tOTD：片選無效后數據還需在數據總線上保持的時間。
tOHA：地址失效后，數據線上的有效數據維持時間，以保證所讀數據可靠。
三、寫周期
執行寫操作時，為低電平，讀寫信號為低電平。
tW（寫入時間）：為保證數據可靠地寫入，與同時有效的時間必須大于或等于tW。
tAW（滯后時間）：地址有效后，必須經過tAW時間，WE/信號才能有效（低），否則可能產生寫出錯。
tWR（寫恢復時間）：WE/無效后，經tWR時間后地址才能改變，否則也可能錯誤地寫入。
tDW：寫入數據必須在寫無效之前tDW時間就送到數據總線上。
tDH：WE/無效后，數據還要保持的時間。此刻地址線仍有效，tWR>tDH，以保證數據可靠寫入。
tWC（寫周期時間）：表示連續兩次寫操作之間的最小時間間隔。tWC = tAW + tW + tWR。
本文關鍵詞： SRAM
相關文章：三星正在改善1Gb MRAM壽命問題
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. www.hythzno.cn 0755-6665829
