XRAM是一種旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡(jiǎn)化了用戶界面。
 
XRAM是一種基于先進(jìn)的DRAM工藝，再結(jié)合星憶創(chuàng)新的三態(tài)DRAM和免刷新DRAM兩種專利技術(shù)的新型存儲(chǔ)器件。不同于傳統(tǒng)的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特點(diǎn)：
• 成本 同等條件下晶圓面積節(jié)省30% ，晶圓產(chǎn)出預(yù)估可以增加25%
• 速度, 數(shù)據(jù)讀取延時(shí)達(dá)到10ns級(jí)，相比DRAM要快10倍
• 存儲(chǔ)密度, 單片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存儲(chǔ)陣列損耗減少40%
• 無(wú)刷新, 簡(jiǎn)化控制器設(shè)計(jì)和時(shí)序操作，完全隨機(jī)訪問(wèn)，提高總線利用率
• 高可靠性，支持-40~125攝氏度環(huán)境溫度
 
 
XM8A01M16V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能16M CMOS國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)器芯片，組織為1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持異步SRAM存儲(chǔ)芯片接口。
     
XM8A01M16V33A特征
•異步XRAM芯片內(nèi)存
•高速訪問(wèn)時(shí)間
•tAA = 10/12納秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz時(shí)為75 mA
•低CMOS待機(jī)電流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V
•取消選擇時(shí)自動(dòng)掉電
•TTL兼容的輸入和輸出
•提供44引腳TSOP II，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝
 
星憶存儲(chǔ)專注于XRAM產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計(jì)，提供高性能和低延時(shí)，低功耗及免刷新動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。致力于通過(guò)創(chuàng)新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的過(guò)程，帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作，從而推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)前端產(chǎn)業(yè)變革和更進(jìn)一步的發(fā)展。星憶存儲(chǔ)代理商英尚微電子支持提供驅(qū)動(dòng)、例程、必要的FAE支持等技術(shù)支持。
 

 

上一篇文章：富士通FRAM在ADAS中的應(yīng)用
 

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