SIC MOSFET它通常用于高壓和大功率電源。由于系統(tǒng)要求這種電源應(yīng)保護(hù)原副邊的隔離，因此通過變壓器從一側(cè)到另一側(cè)傳遞能量，控制器通常放置在其中一側(cè)，如副邊，以驅(qū)動原邊的SIC MOSFET時候，副邊控制器發(fā)出的驅(qū)動信號必須通過隔離方式的驅(qū)動方式傳遞到原來的才能驅(qū)動它。
 
選擇隔離模式，可以對原邊高壓電路的地和副邊控制器的地進(jìn)行單獨(dú)設(shè)計，防止高壓電路對低壓控制電路的損壞。同時，一些不必要的通信或直流信號不會從高壓側(cè)傳輸?shù)降蛪簜?cè)，從而提高驅(qū)動電路的穩(wěn)定性。這是碳化硅驅(qū)動電路的典型規(guī)定。
 
傳統(tǒng)的隔離方法是光耦合隔離，它具有更好的抑制瞬態(tài)和噪聲能力，但缺點(diǎn)是光耦合的增益可以隨時間變化。另一種常見的隔離方法是磁性隔離，但在磁場環(huán)境中，應(yīng)用將受到限制。容性保護(hù)也是一種常見的隔離方法。它在高壓和外部磁場的敏感性方面具有很大的優(yōu)勢。同時，它也適用于快速開關(guān)操作，以保持較小的延遲。


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