IS62WV51216是一個(gè)8M容量，位寬512Kx16的高速率低功耗SRAM芯片。采用高性能CMOS工藝制造。使用該芯片的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器擴(kuò)展。封裝采用44TSOP2封裝。
 
EMI偉凌創(chuàng)芯8Mbit國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL系列是一款可用于兼容代替IS62WV51216的國(guó)產(chǎn)SRAM芯片，其位寬512K*16,電源電壓2.7V~3.6V，支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V，采用44TSOP2封裝形式。偉凌創(chuàng)芯SRAM具有優(yōu)異的高速度、低功耗和可靠性，是適用于各個(gè)領(lǐng)域的最為理想的存儲(chǔ)器。代理商英尚微電子提供免費(fèi)樣品測(cè)試及相關(guān)技術(shù)支持。
 
特征
•工藝技術(shù)：90nm全CMOS
•組織：512Kx 16位
•電源電壓：2.7V~3.6V
•低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V（最小值）
•三態(tài)輸出和TTL兼容
•數(shù)據(jù)字節(jié)控制（x8，x16模式）。
•標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2,48FBGA包裝。
•工業(yè)操作溫度。
 
市場(chǎng)需要兼具快速和低功耗的SRAM存儲(chǔ)器。除了常見的工作和待機(jī)運(yùn)行模式之外，這些SRAM還有一個(gè)名為“深度睡眠”的低功耗模式。深度睡眠模式由一個(gè)輸入信號(hào)控制，該信號(hào)可在斷言后將設(shè)備置于深度睡眠模式。
 
 
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