汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過全新FRAM解決方案，得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY，這兩款器件可在高達攝氏125度的高溫環(huán)境下運作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機的工業(yè)控制機械等設計，且符合嚴苛的汽車行業(yè)AEC Q100標準規(guī)范。希望通過該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場的各種應用，并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項目。
 
FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
 
車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內(nèi)存技術的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM鐵電存儲器屬于非失去性內(nèi)存，不僅能進行高速隨機存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應用的需求。
   
富士通電子車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場標準及高溫環(huán)境下的工業(yè)應用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達10兆次的寫入次數(shù)，采用標準SOP-8封裝。
 
目前FRAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導航與信息娛樂系統(tǒng)等應用中的實時且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，故能降低系統(tǒng)復雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。
 
 
本文關鍵詞： FRAM  富士通   MB85RS128TY  MB85RS256TY

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